出口管制，是發達國家鉗制我國半導體行業發展的殺手锏。2015年以前，美國限制出口等離子體刻蝕設備，令業界如鯁在喉。

打破這一封鎖的，是成立于2004年的中微公司（688012.SH）。憑借創業團隊豐富的行業經驗和不懈的技術攻關，研發量產了在技術指標上和美國廠商不相上下的等離子體刻蝕設備。當封鎖形同虛設，美國商務部不得不在2015年解除該項出口管制。

2020年，國內5G、IoT等終端市場需求開始釋放，預計將在2025年形成超過1.1萬億元市場規模的5G手機市場。這必將促使上游擴充產能，間接推動生產設備需求增長。一直不遺余力投入研發的中微公司，能否在國產替代的基礎上，抓住這一波產能擴充的機遇？

獨力破除刻蝕機出口管制

“一代設備，一代工藝，一代產品”，產品迭代的前提是更新一代工藝；新工藝之所以可行，則仰賴于新一代半導體設備。

在半導體產業鏈中，上游負責提供軟件及知識產權、硬件設備和原材料，用以支撐半導體的生產環節。中國要想在產業鏈中掌握關鍵技術，擁有核心競爭力，必須要有廠商能夠進入這些賽道，并且能在技術指標上與國際產品抗衡，實現國產替代。

從產值上看，全球半導體設備的市場規模已有數百億美元之巨，最為關鍵的是，其決定了芯片的工藝水準和產品參數，如杠桿一般撬動著年產值幾十萬億美元的信息產業應用。

隨著全球制造業的轉移和中國經濟的發展，中國已然成為全球最大的電子產品生產和消費市場。與龐大且增長迅速的市場規模相比，國產半導體在2018年的自給率僅為15%。根據海關總署的數據，半導體集成電路產品從2015年開始就占據我國進口商品總額第一的位置，超過原油和客機。

國產替代不僅能提升我國產業的核心競爭力，而且背靠國內市場需求的堅實支撐。因此，在加工設備賽道打破國際廠商技術壁壘和市場壟斷，成為國內廠商努力的方向。

中微公司選擇的賽道是刻蝕設備。董事長尹志堯在Intel、LAM Research以及應用材料公司供職20余年，主攻方向是等離子體刻蝕機的開發和產業化。

刻蝕是制造集成電路的關鍵工序之一：先對光刻膠進行光刻曝光，然后再利用化學或物理方法去除硅片表面不需要的材料，從而在已經涂膠的硅片上正確復制掩模圖形。

進入21世紀，在美國硅谷已經工作多年的尹志堯，既看到中國芯片產業的蓬勃潛力，更看到了芯片產業對中國崛起的戰略意義。年近六十的他毅然辭職回國，開始了創業之路。

趕上國內半導體產業騰飛的尹志堯“如魚得水”，中微公司發展迅速。

考慮到技術難度相對較低，中微創業團隊先瞄準用于刻蝕氧化物、氮化物等硬度較高材料的電容性等離子體刻蝕設備；2012年，進一步推出了電感性等離體刻蝕設備，正式殺入單晶硅和多晶硅刻蝕賽道。

目前，中微公司已經成功開發了包括單反應臺和雙反應臺在內的三代CCP刻蝕機產品，以及單反應臺的ICP刻蝕設備，形成了較為完備的產品線。中微公司的產品已經達到了國際先進水平，更是使得西方國家的出口管制“多此一舉”。2015年，美國商務部宣布解除對我國等離子體刻蝕設備的出口管制，既是對中微公司技術和產品實力的肯定，也是對中國半導體行業國產替代進程的確認。

能否支持更小制程芯片的刻蝕工藝，是衡量刻蝕設備技術水平高低的重要維度。

制程是衡量集成電路精細度的主要指標。制程越小，元器件之間的距離越小，晶體管間的電容越低，它們的開關頻率也就更高。最終讓芯片運算速度更快的同時更加省電。

如今，主流芯片制程已經向7nm和5nm發展。而中微公司的等離子體刻蝕設備，已經在65nm到7nm的刻蝕加工上實現產業化，部分7nm甚至5nm的刻蝕應用已經進入客戶端驗證的階段。

值得一提的是，國際廠商的晶圓加工設備為了保證加工精度，普遍采用單反應臺的方式。中微公司掌握的雙反應臺高產出率技術，讓設備的高輸出量等離子體反應腔，能同時加工2片晶圓，在提高產出率的同時降低了設備的生產成本。

之所以能夠掌握關鍵技術，得到臺積電、中芯國際、聯華電子等一流集成電路廠商的青睞，是因為中微公司在研發上的高額投入。從2016年到2018年，中微公司研發投入共計10.37億元，占三年總營收的32.2%。

在刻蝕設備國產替代的進程中，中微公司功不可沒。

（來源：億歐）